Özellikle yapay zeka, bilgi merkezleri ve yüksek bant genişliği gerektiren uygulamalar, daha süratli ve daha ağır DRAM tahlillerine olan muhtaçlığı her geçen gün artırıyor. Samsung ise, bu alanda uzun müddettir sektörün “zor eşiklerinden biri” olarak görülen 10nm sonunu aşarak dikkat cazibeli bir adım attı.
DRAM yoğunluğunu önemli artırıyor
Samsung Electronics, DRAM üretiminde uzun müddettir aşılamayan 10nm hududunu geride bırakarak değerli bir eşiği geçti. Şirketin geliştirdiği yeni “10a” üretim süreci, yaklaşık 9.5–9.7nm düzeylerine inerek kesimde bir birinci olma özelliği taşıyor.
Bu ilerlemenin ardında iki temel yenilik bulunuyor: 4F kare hücre yapısı ve VCT (Vertical Channel Transistor) üretim tekniği. Mevcut DRAM‘lerde kullanılan 6F dikdörtgen yapı yerine 4F kare dizayna geçilmesi, çip başına hücre yoğunluğunu yüzde 30 ila 50 oranında artırabiliyor. Bu da daha yüksek kapasite ve daha düşük güç tüketimi manasına geliyor.
Ayrıca yeni jenerasyon belleklerde silikon yerine IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) üzere gelişmiş gereçlerin kullanılması planlanıyor. Bu sayede daralan hücrelerde data sızıntısı azaltılarak bilgi tutarlılığı artırılıyor. Pekala yeni jenerasyon bellekler ne vakit geliyor? Samsung’un bu teknolojiyi 2028 yılında seri üretime alması beklenirken, ilerleyen yıllarda 3D DRAM mimarisine geçiş yapılması da planlanıyor.
Bellek tarafındaki bu sıçrama, bilhassa yapay zeka ve data merkezi uygulamalarında performansı direkt etkileyecek kritik bir adım olacak. Ayrıyeten artan verimlilik ve performans pazardaki tedarik problemlerini da hafifletebilir.
